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电子元器件详细资料 » IC[21819] » IXTA3N120
型号:IXTA3N120类别:FET - 单制造商:IXYS
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263
系列-
制造商IXYS
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)1200V(1.2kV)
电流_连续漏极(Id)0a025000C3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C4.5 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs42nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1350pF @ 25V
功率_最大200W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装TO-263
包装管件

供应商

深圳德田科技有限公司李小姐86-0755-83254070/18680328178
深圳市芯满林科技有限公司夏小姐18926544209/18025435189
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
昆山隆诚翔电子有限公司曾小姐0512-82613006
瀚佳科技(深圳)有限公司李小姐0755-23915992/23140719
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